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サムスン電子、フラッシュメモリ量産に日本のエッチング装置を新規導入

001 2025/03/02(日) 13:29:03 ID:mEdKtlOffI

サムスン電子が400段台の第10世代NAND型フラッシュメモリの量産に、日本の東京エレクトロンの極低温エッチング装備の導入を計画していることが分かった。サムスン電子は、前世代の第8世代（236段）と第9世代（286段）のNAND型フラッシュメモリの先端極低温エッチング工程ではアメリカ・ラムリサーチ社の装備だけを使用してきた。NAND型フラッシュメモリ1位のサムスン電子の極低温エッチング装備のサプライチェーンに東京エレクトロンが新規参入することになるため、ラムリサーチ社の独走体制に亀裂が生じるものとみられる。

サムスン電子は、第10世代NANDの量産からラムリサーチ社への依存度を下げることで、コストの削減や先端装備のサプライチェーンの安定化を図るものと見られる。半導体ディスプレイ技術学会のカン・ソンチョル研究委員は「メモリー半導体企業の立場では、特定の装備企業への依存度が過度に高くなることは負担になるしかない」とし、「東京エレクトロンが必要な技術力さえ備えれば、コストの削減だけでなくサプライチェーンの安定化の側面でも役に立つだろう」と述べた。
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